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参数资料
| 型号： | MB351W |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 35 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | MB351W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR10100R | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| MBR1050 | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| MV1407 | 68 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| MBRB1660CT-BP | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MR851 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB351-W | 功能描述:桥式整流器 35A 100V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB351W-B | 功能描述:桥式整流器 100V 35A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB351W-BP | 功能描述:桥式整流器 100V 35A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB352 | 功能描述:桥式整流器 35A 200V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB352-BC01 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:35 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts |
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