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参数资料
| 型号： | MB358FW |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 35 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | MB358FW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR110 | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| MMBZ5238B | 8.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5240B | 10 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MTZHJ10D | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZHJ11B | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB358G | 制造商:Taitron Components Inc 功能描述: |
| MB358GW | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:35A Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifier |
| MB358W | 功能描述:桥式整流器 BRIDGE SQUARE RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB358-W | 功能描述:桥式整流器 35A 800V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB358W-B | 功能描述:桥式整流器 800V 35A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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