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参数资料
| 型号： | MB6S |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 0.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, MB-S, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MB6S |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB215 | 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| MB258 | 25 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MB2M/45-E3 | 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MB6M/45 | 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MB6M/45-E3 | 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB6S | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:BRIDGE RECTIFIER SMD 0.5A 600V |
| MB6S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bridge Rectifier |
| MB6S/30 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
| MB6S/45 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Rectifier Bridge Single 600V 0.8A 4-Pin TO-269AA Tube |
| MB6S_Q | 功能描述:桥式整流器 0.5A Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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