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参数资料
| 型号： | MB810 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CERAMIC, BR-6, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | MB810 |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
MB805
THRU
MB810
8 Amp Single Phase
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
BR-6
Features
Mounting Hole For #6 Screw
Ceramic Case
Any Mounting Position
Surge Rating Of 125 Amps
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
.610
---
15.50
2PL
B
---
.250
---
6.33
C
---
.750
---
19.20
D
.405
.444
10.30
11.30
2PL
E
.040
---
1.00
---
4PL/TYP
G
.145
---
3.70
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°C to +125°C
Storage Temperature: -55
°C to +150°C
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
MB805
50V
35V
50V
MB81
100V
70V
100V
MB82
200V
140V
200V
MB84
400V
280V
400V
MB86
600V
420V
600V
MB88
800V
560V
800V
MB810
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
8.0A
TC = 50
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
125A
8.3ms, half sine
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
VF
1.1V
IFM = 4.0A per
element;
TA = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
10
A
0.2mA
TJ = 25
°C
TJ = 100
°C
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
B
C
E
D
A
AC
+
-
A
AC
G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MV5286 | SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-7 |
| MS825 | 8 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
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| MLL4112-1 | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL5538B | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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