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参数资料
| 型号： | MB84VA2005-10 |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | 8M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封装： | PLASTIC, BGA-48 |
| 文件页数： | 13/29页 |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | MB84VA2005-10 |
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13
MB84VA2004
-10
/MB84VA2005
-10
Read Only Operations Characteristics (Flash)
Note:
Test Conditions–Output Load:1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test
Setup
-10
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
Min.
Max.
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
100
—
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CEf = V
IL
OE = V
IL
—
100
ns
t
ELQV
t
CE
f
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
—
100
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
—
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
—
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CEf or OE, Whichever Occurs First
—
0
—
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
—
20
μs
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PDF描述 |
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