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参数资料
| 型号： | MB84VA2103 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（x16）的快闪记忆体 |
| 文件页数： | 22/29页 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | MB84VA2103 |
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22
MB84VA2102
-10
/MB84VA2103
-10
Read Cycle (SRAM)
Read Cycle (Note 1) (SRAM)
Note:
1. WE remains HIGH for the read cycle.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time
100
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
100
ns
t
CO1
Chip Enable (CE1s) Access Time
—
100
ns
t
CO2
Chip Enable (CE2s) Access Time
—
100
ns
t
OE
Output Enable Access Time
—
50
ns
t
COE
Chip Enable (CE1s Low and CE2s High) to Output Active
5
—
ns
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
—
ns
t
OD
Chip Enable (CE1s High or CE2s Low) to Output High-Z
—
40
ns
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
—
40
ns
t
OH
Output Data Hold Time
10
—
ns
t
RC
t
AA
t
OH
t
CO1
t
OD
t
ODO
t
OEE
t
COE
VALID DATA OUT
ADDRESSES
CE1s
OE
DQ
CE2s
t
COE
t
OE
t
CO2
t
OD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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