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参数资料
| 型号： | MB84VD21083 |
| 厂商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (x8/x16) FLASH MEMORY & 2M (x8/x16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（x8/x16）闪存 |
| 文件页数： | 8/55页 |
| 文件大小： | 850K |
| 代理商： | MB84VD21083 |
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MB84VD2108X
-85
/MB84VD2109X
-85
8
Table 2.2 User Bus Operations (Flash
=
Word mode; CIOf
=
V
CC
f, SRAM
=
Byte mode; CIOs
=
V
SS
)
Legend : L
=
V
IL
, H
=
V
IH
, X
=
V
IL
or V
IH
. See “ELECTRICAL CHARACTERISTICS 1.
DC Characteristics
” for
voltage levels.
Notes : 1. Other operations except for indicated this column are inhibited.
2. WE can be V
IL
if OE is V
IL
, OE at V
IH
initiates the write operations.
3. Do not apply CEf
=
V
IL
, CE1s
=
V
IL
and CE2s
=
V
IH
at a time.
4. It is also used for the extended sector group protections.
5. WP/ACC
=
V
IL
; protection of boot sectors.
WP/ACC
=
V
IH
; removal of boot sectors protection.
WP/ACC
=
V
ACC
(9 V)
; Program time will reduce by 40%.
6. LB
S
, UB
S
; Don’t care or Open.
Operation
(Note 1, 3)
CEf
CE1s
CE2s
OE
WE
SA
LBs
(Note 6)
UBs
(Note 6)
DQ
0
to
DQ
7
DQ
8
to
DQ
15
RESET
WP/ACC
(Note 5)
Full Standby
H
H
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z HIGH-Z
H
X
X
L
Output Disable
H
L
H
H
H
X
X
X
HIGH-Z HIGH-Z
H
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z HIGH-Z
L
H
X
H
H
X
X
X
HIGH-Z HIGH-Z
X
L
Read from Flash
(Note 2)
L
H
X
L
H
X
X
X
D
OUT
D
OUT
H
X
X
L
Write to Flash
L
H
X
H
L
X
X
X
D
IN
D
IN
H
X
X
L
Read from SRAM
H
L
H
L
H
SA
X
X
D
OUT
HIGH-Z
H
X
Write to SRAM
H
L
H
X
L
SA
X
X
D
IN
HIGH-Z
H
X
Temporary
Sector Group
Unprotection
(Note 4)
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
X
Flash Hardware
Reset
X
H
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z HIGH-Z
L
X
X
L
Boot Block Sector
Write Protection
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
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