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参数资料
| 型号： | MB90F349EPFV |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.70 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100 |
| 文件页数： | 66/84页 |
| 文件大小： | 1142K |
| 代理商： | MB90F349EPFV |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页当前第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页
MB90340E Series
69
8.
Flash Memory Program/Erase Characteristics
* : This value was converted from the results of evaluating the reliability of the technology (using Arrhenius equation
to translate high temperature measurements into normalized value at
+85 °C) .
Parameter
Conditions
Value
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Sector erase time
TA
= +25 °C
VCC
= 5.0 V
115
s
Excludes programming
prior to erasure
Chip erase time
9
s
Excludes programming
prior to erasure
Word (16-bit width)
programming time
16
3600
μs
Except for the over head
time of the system
Program/Erase cycle
10000
cycle
Flash Data Retention
Time
Average
TA
= +85 °C
20
year
*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MB90F351ESPMCR-GSE1 | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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