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参数资料
| 型号： | MB95F212KPF-G-SNE2 |
| 厂商： | Fujitsu Semiconductor America Inc |
| 文件页数： | 52/72页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 4KB FLASH F2MC-8FX 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | F²MC MB95210H |
| 核心处理器： | F²MC-8FX |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 240 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.4 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 2x8/10b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 722 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 865-1059 |
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MB95200H/210H Series
56
DS07-12623-3E
6.
Flash Memory Program/Erase Characteristics
*1: TA = +25
°C, VCC = 5.0 V, 100000 cycles
*2: TA = +85
°C, VCC = 4.5 V, 100000 cycles
*3: This value is converted from the result of a technology reliability assessment. (The value is converted from the
result of a high temperature accelerated test by using the Arrhenius equation with the average temperature being
+85
°C) .
Parameter
Value
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Chip erase time
—
1*1
15*2
s
00H programming time prior to erasure is
excluded.
Byte programming time
—
32
3600
s
System-level overhead is excluded.
Erase/program voltage
9.5
10
10.5
V
The erase/program voltage must be
applied to the RSTX pin in erase/program.
Erase/program cycle
—
100000
—
cycle
Power supply voltage at erase/
program
4.5
—
5.5
V
Flash memory data retention
time
20*3
—
year
Average TA = +85
°C
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