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参数资料
| 型号： | MB95F223KPH-G-SNE2 |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16.25 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| 封装： | 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-16 |
| 文件页数： | 43/60页 |
| 文件大小： | 3470K |
| 代理商： | MB95F223KPH-G-SNE2 |
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MB95220H Series
48
DS07-12626-3E
6.
Flash Memory Program/Erase Characteristics
*1: TA = +25
°C, VCC = 5.0 V, 100000 cycles
*2: TA = +85
°C, VCC = 4.5 V, 100000 cycles
*3: This value is converted from the result of a technology reliability assessment. (The value is converted from the
result of a high temperature accelerated test by using the Arrhenius equation with the average temperature being
+85
°C) .
Parameter
Value
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Chip erase time
—
1*1
15*2
s
00H programming time prior to erasure is
excluded.
Byte programming time
—
32
3600
s
System-level overhead is excluded.
Erase/program voltage
9.5
10
10.5
V
The erase/program voltage must be
applied to the PF2 pin in erase/program.
Current drawn on PF2
—
5.0
mA
Current consumption of PF2 pin during
flash memory program/erase
Erase/program cycle
—
100000
—
cycle
Power supply voltage at erase/
program
3.0
—
5.5
V
Flash memory data retention
time
20*3
—
year
Average TA = +85
°C
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PDF描述 |
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