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参数资料
| 型号： | MBC13900 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE 318M-01, SC-70, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | MBC13900 |
MBC13900
3
MOTOROLA RF PRODUCTS DEVICE DATA
NOTES
F
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r,
I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
c
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBDF1200ZEL | 3000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MBDF1200ZEL | 3000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MBL150GS6N | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBL150GS6P | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBC13900/D | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise Transistor |
| MBC13900NT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT DISCRETE BJT PB FREE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MBC13900T1 | 功能描述:IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| MBC13901 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:NPN Silicon Low Noise Transistor |
| MBC13916 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:GAIN BLOCK 制造商:Freescale 功能描述:RF Amp Chip Single GP 2.5GHz 5V 4-Pin(3+Tab) SOT-343R |
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