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参数资料
| 型号： | MBD-5057-E26 |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, KU BAND, MIXER DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | MBD-5057-E26 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTDH-8007N-2540T | SILICON, UHF-C BAND, MIXER DIODE |
| ML40464-148 | GALLIUM ARSENIDE, KA BAND, MIXER DIODE |
| ML4906-118 | 12.4 GHz - 18 GHz, GALLIUM ARSENIDE, GUNN DIODE |
| ML4933-275 | 22 GHz - 27 GHz, GALLIUM ARSENIDE, GUNN DIODE |
| ML4202-275 | 15 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD54D | 制造商:ETL 制造商全称:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Dual SCHOTTKY Barrier Diodes |
| MBD54DWT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 150mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD54DWT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD54DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 150mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD54DWT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
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