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参数资料
| 型号： | MBD101RLRB |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | MBD101RLRB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD2000T3 | SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBV409LT3 | VHF BAND, 29 pF, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB |
| MV2111RL | HF-UHF BAND, 47 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMBV2107LT3 | HF-UHF BAND, 22 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMBV109L | VHF BAND, 29 pF, 30 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD110DWT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
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