| 型号: | MBD101RLRF |
| 厂商: | MOTOROLA INC |
| 元件分类: | 射频混频器 |
| 英文描述: | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装: | PLASTIC, CASE 182-02, TO-226AC, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 61K |
| 代理商: | MBD101RLRF |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD354LT3 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| MPZ5-32A | 40000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MBR1650 | 16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MQ1N5360D | 25 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQ1N5363A | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD110DWT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |