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参数资料
| 型号： | MBD110DWT1 |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | Dual SCHOTTKY Barrier Diodes |
| 中文描述： | 双肖特基二极管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | MBD110DWT1 |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
MBD770DWT1
Figure 10. Total Capacitance
Figure 11. Minority Carrier Lifetime
Figure 12. Reverse Leakage
Figure 13. Forward Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
IF, FORWARD CURRENT (mA)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
,
I
,
I
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
500
0
80
100
0
5.0
10
15
20
25
35
50
40
45
30
2.0
1.6
1.2
0.8
0
100
10
1.0
0.1
50
10
30
50
70
90
400
300
200
100
0.4
,
,
C
TA = –40
°
C
TA = 85
°
C
TA = 25
°
C
TA = 100
°
C
TA = 75
°
C
TA = 25
°
C
MBD770DWT1
MBD770DWT1
MBD770DWT1
MBD770DWT1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBD770DWT1 | Dual SCHOTTKY Barrier Diodes |
| MBR2515L | SWITCHMODE⑩ Power Rectifier |
| MBR4015LWT | SWITCHMODE⑩ Power Rectifier |
| MBR4015 | SWITCHMODE⑩ Power Rectifier |
| MBR5025L | SWITCHMODE⑩ Power Rectifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD110DWT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD110DWT1G_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD110DWT1G_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diodes |
| MBD14 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4" TFX RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 标准包装:1 系列:* |
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