- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17939 > MBD701 (ON Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 100MA 70V TO92-2 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBD701 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 132K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100MA 70V TO92-2 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 - 单 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 70V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 20V，1MHz |
| 功率耗散（最大）： | 280mW |
| 封装/外壳： | TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） |
| 供应商设备封装： | TO-92 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | MBD701OS |
MBD701, MMBD701L, SMMBD701L
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Minority Carrier Lifetime
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. Reverse Leakage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
, FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
0.2 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
100
10
0.00101020304050
10
1.0
0.1
0.01
0
0102030 40 50 60 70 80 10090
500
0
0 5.0 10 15 20 25 3530
1.6
50
40 45
1.2
0.8
0.4
f = 1.0 MHz
TA
= -
?C
TA
= 85
?C
TA
= 25
?C
1.0
0.1
0
KRAKAUER METHOD
2.0
TA
= 100
?C
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
C
T
, MINORITY CARRIER LIFETIME (ps)
400
300
200
100
TA
= 25
?C
TA
= 75
?C
SINUSOIDAL
GENERATOR
BALLAST
NETWORK
(PADS)
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
(50
INPUT)
PADS
CAPACITIVE
CONDUCTION
FORWARD
CONDUCTION
STORAGE
CONDUCTION
DUT
IF(PEAK)
IR(PEAK)
Figure 5. Krakauer Method of Measuring Lifetime
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPPM20S15K-F | CAP FILM 0.015UF 2KVDC RADIAL |
| MC12FD330F-F | CAP MICA 33PF 500V 1% 1210 |
| 95C06D2GWT | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
| MMBV3700LT1 | DIODE TUNING SS 200V SOT23 |
| DMM6W1K-F | CAP FILM 1UF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD701_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
| MBD701_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
| MBD701G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70V 280mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBD701G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| MBD701LT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。