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参数资料
| 型号： | MBD770DWT1 |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | Dual SCHOTTKY Barrier Diodes |
| 中文描述： | 双肖特基二极管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | MBD770DWT1 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
MBD330DWT1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Total Capacitance
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 7. Minority Carrier Lifetime
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Reverse Leakage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Forward Voltage
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
,
I
,
I
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
6.0
12
18
24
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0
20
40
60
500
0
80
100
0
3.0
6.0
9.0
12
15
21
2.8
30
24
27
18
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0
100
10
1.0
0.1
30
10
30
50
70
90
400
300
200
100
0.4
,
,
C
TA = –40
°
C
TA = 85
°
C
TA = 25
°
C
TA = 100
°
C
TA = 75
°
C
TA = 25
°
C
MBD330DWT1
MBD330DWT1
MBD330DWT1
MBD330DWT1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBD770DWT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70V 120mW Dual Isolated RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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