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参数资料
| 型号： | MBM200GS12AW |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | MBM200GS12AW |
Date:Mar.2002
Status List
KS02007
M:Mass production
A:Abolition
GR - A Series (Advanced GR Series)
VCE(sat)
ton
toff
tf
(V)Typ.
(
s)Max.
(
s)Max.
(
s)Max.
MBN1200GR12A
1,200
8,330
2.4
2.1
1.8
0.4
N - 7
M
MBN600GR12A
1,200
600
3,790
2.2
0.8
1.2
0.35
N - 6
M
MBN400GR12A
1,200
400
2,500
2.2
0.7
1.1
0.3
N - 5
M
MBM300GR12A
1,200
300
1,980
2.2
0.7
1.1
0.3
M - 9
M
MBM200GR12A
1,200
200
1,250
2.2
0.6
1.0
0.3
M - 8
M
MBM150GR12A
1,200
150
1,000
2.2
0.6
1.0
0.3
M - 8
M
MBM100GR12A
1,200
100
690
2.2
0.6
1.0
0.3
M - 8
M
GR Series
VCE(sat)
ton
toff
tf
(V)Typ.
(
s)Max.
(
s)Max.
(
s)Max.
MBM400GR6
600
400
1,170
2.1
0.7
1.1
0.32
M - 3
M
MBM300GR6
600
300
930
2.1
0.7
1.0
0.32
M - 8
M
MBM200GR6
600
200
690
2.1
0.7
0.8
0.3
M - 8
M
MBM150GR6
600
150
520
2.1
0.7
0.8
0.3
M - 8
M
GS Series
VCE(sat)
ton
toff
tf
(V)Typ.
(
s)Max.
(
s)Max.
(
s)Max.
Dual
MBM600GS6CW
600
1,700
1.9
0.8
1.1
0.4
M - 7
M
MBM400GS6AW
600
400
1,000
1.9
0.7
1.1
0.35
M - 1
M
MBM400JS6AW
600
400
1,470
1.9
0.7
1.1
0.35
M - 3
M
MBM300GS6AW
600
300
800
1.9
0.7
1.1
0.35
M - 1
M
MBM200GS6AW
600
200
600
1.9
0.6
0.9
0.35
M - 6
M
MBM150GS6AW
600
150
450
1.9
0.6
0.9
0.35
M - 6
M
Six - Pack
MBB200GS6AW
600
200
600
1.9
0.6
0.9
0.35
B - 1
M
VCES
(V)
VCES
(V)
Dual
Status
Connection
Status
Connection
Outline
Absolute Maximum Ratings
IC
PC
(W)
(A)
Absolute Maximum Ratings
IC
(A)
PC
(W)
Type
Characteristics
Connection
Type
Absolute Maximum Ratings
Characteristics
Single
Dual
Type
Characteristics
Status
VCES
IC
PC
(V)
(A)
(W)
Outline
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM300GS6AW | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBM400GR6 | 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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| MBM2212-20 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
| MBM2212-25 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
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