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参数资料
| 型号： | MBM200GS12EBW |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | MBM200GS12EBW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM300GR12A | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MBR1090CT | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR2070CT | 20 A, 70 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR30100CT | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBR340-T3 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBM-2105G | 制造商: 功能描述: 制造商:GLDSTR 功能描述: 制造商:GOLDSTAR 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MBM2149-45 | 制造商:FUGITSU 功能描述:2149-45 |
| MBM2212-20 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
| MBM2212-25 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 1024 BIT NON VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY |
| mbm27128-20 | 制造商:FUJITSU 功能描述:MBM27128-20 |
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