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参数资料
| 型号： | MBM29PL12LM10PCN |
| 厂商： | FUJITSU LTD |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封装： | PLASTIC, TSOP1-56 |
| 文件页数： | 1/72页 |
| 文件大小： | 1036K |
| 代理商： | MBM29PL12LM10PCN |
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DS05-20914-2E
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
FLASH MEMORY
CMOS
128 M (16M
×
8/8M
×
16) BIT
MirrorFlash
TM
*
MBM29PL12LM
10
■
DESCRIPTION
The MBM29PL12LM is a 128M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 16M bytes by 8 bits or 8M words by
16 bits. The MBM29PL12LM is offered in 58-pin TSOP (1) and 80-ball FBGA. The device is designed to be
programmed in-system with the standard 3.0 V V
CC
supply. 12.0 V V
PP
and 5.0 V V
CC
are not required for write
or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.
(Continued)
■
PRODUCT LINE UP
Note
s
:
Programming in byte mode
(
×
8
) is prohibited.
Programming to the address that already contains data is prohibited
.
(It is mandatory to erase data prior to overprogram on the same address.)
■
PACKAGES
* :
MirrorFlash
TM
is a trademark of Fujitsu Limited.
Part No.
MBM29PL12LM
10
3.0 V to 3.6 V
100 ns
100 ns
30 ns
V
CC
Max Address Access Time
Max CE Access Time
Max Page Read Access Time
56-pin plastic TSOP (1)
80-ball plastic FBGA
(FPT-56P-M01)
(BGA-80P-M02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM30LV0064-PFTN | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064-PFTR | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032 | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTN | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTR | RES 150-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBM30000 | 功能描述:BRACKET SIDE MOUNT RoHS:是 类别:工业控制，仪表 >> 配件 系列:* 标准包装:1 系列:Aero-Motive® 130117 附件类型:拖车带 适用于相关产品:标准盒式跟踪系统 其它名称:WM6183 |
| MBM30035001 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM30035015 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM300A6 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:IGBT MODULE RANGE WITH SOFT AND FAST (SFD) FREE-WHEELING DIODES |
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