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参数资料
| 型号： | MBN400C20 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 2000 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | MBN400C20 |
PDE-N400C20-0
full
10%
T
u
rn-off
Loss
Eoff
(J/pulse)
Collector Current IC (A)
Turn-off Loss vs. Collector Current
Reverse Recovery Loss vs. Collector Current
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
100
300
400
500
0
TYPICAL
0.001
0.01
1
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
[Conditions]
Tc
=125°C
VCC
=1000V
Lp
≈200nH
RG(on)
=12
RG(off)
=12
VGE
=±15V
Inductive Load
full
10%
Re
v
erse
Reco
v
e
ry
Loss
Err
(J/pulse)
Collector Current IC (A)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
100
300
400
500
0
TYPICAL
[Conditions]
Tc
=125°C
VCC
=1000V
Lp
≈200nH
RG(on)
=12
RG(off)
=12
VGE
=±15V
Inductive Load
T
ransient
Ther
mal
Impedance
,R
th(j-c)
(
°C/W
)
Time, t (s)
Transient thermal impedance
Diode
IGBT
t9
t11
t12
10%
IRM
0.1 IRM
IC
IC VCE dt
Err(10%)
=
Err(full)
=
VCE
t
0
t10
.
t5
t7
t8
0
10%
VGE
IC
IC VCE dt
Eoff(10%)
=
Eoff(full)
=
VCE
0
t6
t
t6
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MBN600C33A | 600 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBN400C33A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
| MBN400GR12 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Rated 400A/1200V, Single-pack type |
| MBN400GR12AW | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
| MBN400GR12BW | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
| MBN400GS12AW | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel IGBT |
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