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参数资料
| 型号： | MBR0520LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 146K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V SOD-123 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 385mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBR0520LT3GOSDKR |
    MBR0520LT1G, SBR80520LT1G, MBR0520LT3G, SBR80520LT3G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 20 V Average Rectified Forward Current (Rated VR, TL = 90 ?C) IF(AV) 0.5 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz) IFSM 5.5 A Storage Temperature Range Tstg ?65 to +150 ?C Operating Junction Temperature TJ ?65 to +125 ?C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 1000 V/s ESD Ratings: Machine Model = C Human Body Model = 3B > 400 > 8000 V Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance; Junction?to?Ambient (Note 1) RJA 206 ?C/W Thermal Resistance; Junction?to?Lead RJL 150 ?C/W 1. 1 inch square pad size (1 x 0.5 inch for each lead) on FR4 board. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2) vF TJ = 25 ?C TJ = 100 ?C V (iF = 0.1 Amps) (iF = 0.5 Amps) 0.300 0.385 0.220 0.330 Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) IR TJ = 25 ?C TJ = 100 ?C mA (VR = 10 V) (Rated DC Voltage = 20 V) 75 A 250 A 5 mA 8 mA 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ? 2%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMK316B7473KL-T | CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206 |
| GMK212SD183KG-T | CAP CER 0.018UF 35V 10% 0805 |
| D09S13B4GX00LF | CONN DSUB RCPT 9 POS R/A GOLD |
| D15S33E4GL00LF | CONN DSUB RCPT 15POS T/H RA GOLD |
| D09P13A4PV00LF | CONN DSUB PLUG 9 POS R/A GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR0520LTI | 制造商:ARC-TRONICS 功能描述: |
| MBR0520LTJ | 制造商:ARC-TRONICS 功能描述: |
| MBR0520L-TP | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V SOD-123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MBR0520LW | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky Rectifier Diodes |
| MBR0520-M | 制造商:FORMOSA 制造商全称:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
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