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参数资料
| 型号： | MBR0520PBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | MBR0520PBF |
MBR0520
Preliminary Data Sheet PD-20226 01/02
4
Fig.5-Maximum Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
Fig.6-Forward Power Loss Characteristics
Fig.7-Maximum Non-Repetitive Surge Current
Allowable
Lead
Temperature
(°C)
AverageForwardCurrent - I
F(AV)(A)
AverageForwardCurrent - I
F(AV)(A)
Average
Power
Loss
(Watts)
SquareWavePulseDuration - t
p (microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
FSM
(A)
100
110
120
130
140
150
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
Square Wave
(D = 0.50)
see note (2)
1
10
100
10
100
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
0
0.1
0.2
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
DC
RMS Limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D)
(see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR0530 | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| MBRB1090/45-E3 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB10100/81 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBR0520-TP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 .5A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR0520-TPS01 | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
| MBR0530 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky diode 0V/0.5A SOD-123 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR0530/D3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER, Diode Configuration:Single |
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