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参数资料
| 型号： | MBR1045 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MBR1045 |
Document Number: 94284
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 14-Aug-08
3
MBR10..PbF Series
Schottky Rectifier, 10 A Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
VFM - Forward Voltage Drop (V)
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
1
10
100
1.8
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
VR - Reverse Voltage (V)
I R
-
Reverse
Current
(mA)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
20
253545
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
510
15
30
40
1000
VR - Reverse Voltage (V)
C
T
-
Junction
Capacitance
(pF)
0
100
10
30
40
20
50
T
J = 25 °C
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
100
.
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
Single pulse
(thermal resistance)
D = 0.75
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
D = 0.50
0.01
0.1
1.0
10
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