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参数资料
| 型号： | MBR10H90-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | MBR10H90-E3/45 |
MBR(F,B)10H90 & MBR(F,B)10H100
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88667
Revision: 07-May-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.1
0.2
0.6
0.7
0.8
0.9
0.3
100
10
0.1
0.01
1.0
0.4
0.5
1.0
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
1
1000
0.01
0.1
10 000
100
10
20
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
10
1
100
1000
10 000
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB10H90-HE3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
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| MBRB10H90-E3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBR10H100CT-E3/45 | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBR10L100CT C0 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifiers 100 V 10 A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR10L100CTH_FCTH | 制造商:SIRECT 制造商全称:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Power Schottky Rectifier - 10Amp 100Volt |
| MBR10L100FCT | 制造商:SIRECT 制造商全称:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Power Schottky Rectifier - 10Amp 100Volt |
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