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参数资料
| 型号： | MBR10H90CT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 518K |
| 描述： | DIODE SCHOTT 10A 90V SGL TO220-2 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 760mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3.5µA @ 90V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 90V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 熔断式，TO-220AC |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)10H90CT & MBR(F,B)10H100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88668
Revision: 08-Nov-07
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1 0.3
1.1
0.5
100
10
0.1
0.01
1
0.7 0.9
TJ
= 100 °C
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 175 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= - 40 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
1
0.1
10
100
1000
10 000
0.01
0 10020
40 60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ
= 100 °C
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
J
u
nction Capacitance (pF)
1 10 100
100
1000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.01
10
1
10
100
0.1
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
MBRF
0.1
1
10
100
0.01 0.1 101 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
MBRF
Junction to Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A7VVB-3706G | CABLE D-SUB-AMU37B/AE37G/AMU37B |
| T95Z107K6R3HZAL | CAP TANT 100UF 6.3V 10% 2910 |
| A7WWB-0906G | CABLE D-SUB-AFU09B/AE09G/AFU09B |
| F951V475KBAAQ2 | CAP TANT 4.7UF 35V 10% 1210 |
| ECA10DRMN-S288 | CONN EDGECARD 20POS .125 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR10H90-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 90 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR10HXX | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
| MBR10L100CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A,100V,DUAL SCHOTTKY Rect LOW VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR10L100CT C0 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifiers 100 V 10 A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR10L100CTH_FCTH | 制造商:SIRECT 制造商全称:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Power Schottky Rectifier - 10Amp 100Volt |
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