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参数资料
| 型号： | MBR10H90CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | MBR10H90CT-E3/45 |
MBR(F,B)10H90CT & MBR(F,B)10H100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88668
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
0.3
1.1
0.5
100
10
0.1
0.01
1
0.7
0.9
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
T
J = - 40 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1
0.1
10
100
1000
10 000
0.01
20
0
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.01
10
1
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Junction to Case
MBRF
0.1
1
10
100
0.01
0.1
10
1
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
MBRF
Junction to Case
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR16H35-HE3/45 | 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR7H35-HE3/45 | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRB20100CT-HE3/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB25H60CT-E3/45 | 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MBR10L100CT C0 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifiers 100 V 10 A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR10L100CTH_FCTH | 制造商:SIRECT 制造商全称:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Power Schottky Rectifier - 10Amp 100Volt |
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