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参数资料
| 型号： | MBR10H90CT-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | MBR10H90CT-E3 |
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
1
0.1
10
100
1000
10000
0.01
110
10
100
0.1
1
I R
--
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Junction
Capacitance
(pF)
1
10
100
1000
0.1
10
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance
Per Leg
Reverse Voltage (V)
20
0
100
40
60
80
Fig. 4 – Typical Reverse
Characteristics Per Leg
Fig. 6 – Typical Transient
Thermal Impedance Per Leg
t -- Pulse Duration (sec.)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Transient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
TJ = 150°C
100
°C
125
°C
25
°C
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
25
50
75
100
125
150
175
Fig. 1 – Forward Derating Curve
Per Leg
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Case Temperature (
°C)
0.1
0.3
1.1
0.5
100
10
0.1
0.01
1.0
0.7
0.9
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics Per Leg
TJ = 175°C
I F
--
Instantaneous
Forward
Current
(A)
TJ = 25°C
TJ = – 40°C
TJ = 150°C
TJ = 125°C
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
Number of Cycles at 60 HZ
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive
Peak Forward Surge Current Per Leg
TJ = 100°C
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
MBR10H100CT, MBRF10H100CT & MBRB10H100CT Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88668
www.vishay.com
24-Apr-03
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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