参数资料
型号: MBR1100PBF
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封装: PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 31K
代理商: MBR1100PBF
MBR1100
Bulletin PD-20587 rev. B 03/03
3
www.irf.com
Fig. 1 - Max. Forward Voltage Drop Characteristics
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(pF)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
0.1
1
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
T = 150C
T = 125C
T = 25C
J
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
125C
25C
T = 150C
J
10
100
0
20406080
100
T = 25C
J
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MBR1100RL 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR1100RLG 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR1100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
MBR1100TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Schottky Rectifier
MBR1100TR-M3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1 A