参数资料
型号: MBR120LSFT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 146K
描述: DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123FL
标准包装: 10,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 450mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 400µA @ 20V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123L
包装: 带卷 (TR)
MBR120LSFT1G, NRVB120LSFT1G, MBR120LSFT3G
http://onsemi.com
3
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
0.1
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
VF, MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE
(VOLTS)
0.1
0.3 0.5 0.90.7
TJ
= 85
?C
TJ
= 125
?C
TJ
=
?40?C
TJ
= 25
?C
0.1
10
1.0
0.1
0.3 0.5 0.90.7
TJ
= 85
?C
TJ
= 125
?C
TJ
= 25
?C
I
R
, MAXIMUM REVERSE CURRENT (AMPS)
I
R
, REVERSE CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
20
?6
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100E?3
10E?3
1.0E?3
100E?6
10E?6
1.0E
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0 10 15
20
0
1.0E+0
100E?6
10E?6
5.0 10 15
TJ
= 125
?C
TJ
= 85
?C
TJ
= 25
?C
TJ
= 85
?C
TJ
= 25
?C
100E?3
10E?3
1.0E?3
I
O
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 5. Current Derating
TL, LEAD TEMPERATURE (?C)
45
25
1.8
1.2
1.0
0.6
0.2
0
65 12585 105 145
0.8
0.4
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
Ipk/Io
= 5
Figure 6. Forward Power Dissipation
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0.2
0
0.7
0.6
0.5
0.3
0.1
0
0.6 1.40.8 1.2 1.61.0
0.4
0.4
SQUARE
WAVE
dc
Ipk/Io
=
Ipk/Io
= 10
Ipk/Io
= 20
0.2
1.4
1.6
Ipk/Io
= 20
Ipk/Io
= 10
Ipk/Io
= 5
Ipk/Io
=
SQUARE
WAVE
dc
freq = 20 kHz
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PDF描述
XQA-00 POWER CHASSIS 600W 6 SLOT
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T95V685K010LZAL CAP TANT 6.8UF 10V 10% 1410
3292W-1-100LF TRIMMER 10 OHM 0.5W TH
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参数描述
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