参数资料
型号: MBR160TRPBF
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封装: PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 32K
代理商: MBR160TRPBF
MBR150, MBR160
Bulletin PD-20589 rev. B 03/03
3
www.irf.com
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Forward Voltage Drop - V
FM
(V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R
(V)
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
Reverse Voltage - V
R
(V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(pF)
10
100
0
10203040506070
T = 25C
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
10
203040506070
125C
25C
T = 150C
J
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Tj = 150C
Tj = 125C
Tj = 25C
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PDF描述
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参数描述
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MBR16100CT 功能描述:肖特基二极管与整流器 16A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR16100CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 16A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR16100CTG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RECTIFIER DIODES COMMON CATHODE SCHOTT
MBR16100DC_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: