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参数资料
| 型号： | MBR1630 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 161K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 16A 30V TO220-2 |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 16A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 630mV @ 16A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 450pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
MBR1635/ MBR1640
Document number: DS23011 Rev. 9 - 2
2 of 4
www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
MBR1635/ MBR1640
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
MBR
1635
MBR
1640
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
35
40
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
24.5
28
V
Average Rectified Output Current
(Note 4) @ TC
= +125°C
IO
16
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
150
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 4)
RθJC
1.5
?C/W
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dV/dt
1000
V/μs
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
?C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Forward Voltage Drop @ IF
=16A, T
C
= +25°C
@ I
F
=16A, T
C
=+125°C
VFM
0.63
0.57
V
Peak Reverse Current @TC
= +25°C
at Rated DC Blocking Voltage @ TC
= +125°C
IRM
0.2
40
mA
Typical Total Capacitance (Note 5)
CT
450
pF
Notes: 4. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
5. Measured at 1.0MHz and
applied reverse voltage of 4.0V DC.
0
4
8
050100150
I, AVE
R
A
G
E
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
(AV)
T , CASE TEMPERATURE ( C)C
°
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
12
16
20
0.1
1.0
10
50
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Voltage Characteristics
MBR1630 - MBR1645
MBR1650 / MBR1660
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR745 | DIODE SCHOTTKY 7.5A 45V TO220-2 |
| GSC08DRXI | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| REC5-053.3DRW/H/B | CONV DC/DC 5W 4.5-9VIN +/-3.3V |
| MBR740 | DIODE SCHOTTKY 7.5A 40V TO220-2 |
| GEC22DRTS | CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR1635 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 16A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR1635/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 16 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR1635_Q | 功能描述:肖特基二极管与整流器 16 amp Rectifier Schottky Barrier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR1635-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 35V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MBR1635-E3 |
| MBR1635-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 16 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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