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参数资料
| 型号： | MBR1635HE3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | MBR1635HE3/45 |
MBR(F,B)1635 thru MBR(F,B)1660
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88671
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 125 °C
T
J = 75 °C
T
J = 25 °C
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
1000
10 000
MBR1635 - MBR1645
MBR1650 - MBR1660
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
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PDF描述 |
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