参数资料
型号: MBR1660
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 16 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封装: PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 2/3页
文件大小: 83K
代理商: MBR1660
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
MBR1630 thru MBR1660
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
0.2
0.3
0.7
0.8
1.0
10
100
0.4
0.5
0.6
0.1
1.0
0.9
0.1
1.0
10
100
0.1
PULSE WIDTH 300us
2% Duty cycle
TJ = 25 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE ,(%)
FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
m
A
)
20
40
120
140
0
0.01
1.0
10
1000
100
60
80
100
TJ = 100 C
0.1
TJ = 25 C
TJ = 75 C
MBR1630 ~ MBR1645
MBR1650 ~ MBR1660
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10
1
100
10000
1000
100
TJ = 25 C F= 1MHz
0.1
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
0
50
100
150
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
25
75
100
125
150
4
0
50
16
175
8.3ms Single Half-Sine-Wave
12
0
8
20
CASE TEMPERATURE , C
4
T
tp
tp/T=50%
DC
Square wave
MBR1650~1660
MBR1630~1645
MBR1650~1660
MBR1630~1645
Rθ jc = 1.5 C/W
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
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PDF描述
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MBR1660HE3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 16A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel