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参数资料
| 型号： | MBR20150CTTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DL 150V 10A TO220 |
| 产品目录绘图： | MBR20 Series TO-220 MBR20 Circuit |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 750mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
MBR20150CT — Dual High Voltage Schottky Rectifier
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MBR20150CT Rev. A1
1
June 2009
MBR20150CT
Dual High Voltage Schottky Rectifier
Features
? Low Forward Voltage Drop
? Low Power Loss and High Efficiency
? High Surge Capability
? RoHS Compliant
? Matte Tin(Sn) Lead Finish
? Terminal Leads Surface is Corrosion Resistant and can withstand to 260°C
? Wave Soldering or per MIL-STD-750 Method 2026.
? Dual common Cathode.
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the
serviceability of any semiconductor device may be
impaired.
Thermal Characteristics*
TA
= 25
°C unless otherwise noted
* MIL standard 883-1012 & JESD51-10
Electrical Characteristics*
TA
= 25
°C
unless otherwise noted
* DC Item are tested by Pulse Test : Pulse Width
≤300us, Duty Cycle
≤2%
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 150 V
VR
Maximum DC Reverse Voltage 150 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current, T
C=120
°C
10 (Per Leg)
20 (Per Device)
A
IFSM
Peak Forward Surge Current, 8.3mS Half Sine wave 150
A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to + 150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Max Unit
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case per Leg 1.5
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient per Leg 62.5
°C/W
Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Unit
IR
Reverse Current
VR= 150V
TC
= 25
°C
VR= 150V
TC
= 125
°C
0.2
5
mA
VF
Forward Voltage
IF= 10A
TC
= 25
°C
IF= 10A
TC
= 125
°C
IF= 20A
TC
= 25
°C
IF= 20A
TC
= 125
°C
0.85
0.75
0.95
0.85
V
Mark : MBR20150CT
1 2 3
3. Anode
1. Anode
2. Cathode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR20200CTG | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
| MBR20200CTTU | DIODE SCHOTTKY DL 200V 10A TO220 |
| MBR2030CTLG | DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB |
| MBR2030CT | DIODE SCHOTTKY 20A 30V TO220-3 |
| MBR2035CT | DIODE SCHOTTKY 35V 20A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR20150FCT | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| MBR20150FCTE3/TU | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:20A, 150V, VF=0.90V, TJMAX = 175C - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20A 150V ITO220AB |
| MBR20150PT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A,150V,DUAL SCHOTTKY Rect RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR20150SC | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| MBR20150SCT-E1 | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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