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参数资料
| 型号： | MBR20H90CT-HE3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 494K |
| 代理商： | MBR20H90CT-HE3/45 |
MBR(F,B)20H90CT & MBR(F,B)20H100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88673
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0.1
0.2
0.6
0.7
0.8
0.9
0.3
100
10
0.1
0.01
1
0.4
0.5
1.0
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1
1000
0.01
0.1
10 000
100
10
20
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.1
10
1
100
1000
10 000
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MBRB20H90CT-E3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
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| MBRB20H100CTHE3/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBR20H100CTHE3/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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