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参数资料
| 型号： | MBR230LSFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 79K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 2A 30V SOD-123FL |
| 产品目录绘图： | SOD-123FL, SOD-123 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | SOD-123L |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR230LSFT1GOSDKR |
MBR230LSFT1
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
30
V
Average Rectified Forward Current (At Rated VR, TL
= 105
°C)
IO
2.0
A
Peak Repetitive Forward Current
(At Rated VR, Square Wave, 100 kHz, TL
= 95
°C)
IFRM
4.0
A
Non-Repetitive Peak Surge Current
(Non-Repetitive peak surge current, halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
40
A
Storage Temperature
Tstg
-55 to 150
°C
Operating Junction Temperature
TJ
-55 to 125
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR, TJ
= 25
°C)
dv/dt
10,000
V/s
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Lead (Note 1)
Thermal Resistance, Junction-to-Lead (Note 2)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 2)
Rtjl
Rtjl
Rtja
Rtja
26
21
325
82
°C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Mounted with minimum recommended pad size, PC Board FR4.2
).
2. Mounted with 1 in. copper pad (Cu area 700 mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3)
VF
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
V
(I
F
= 1.0 A)
(I
F
= 2.0 A)
0.38
0.43
0.30
0.37
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 3)
IR
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
mA
(V
R
= 30 V)
1.0
25
3. Pulse Test: Pulse Width ≤
250
s, Duty Cycle ≤
2%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR2H100SFT3G | DIODE SCHOTTKY 2A 100V SOD-123FL |
| MBR3100 | DIODE SCHOTTKY 3A 100V DO-201AD |
| MBR340RLG | DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD |
| MBR360RLG | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD |
| MBR40250G | DIODE SCHOTTKY 40A 250V TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR230LSFT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER 2A 30V SOD-123FL |
| MBR25100CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR25150CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 150 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2515L | 功能描述:肖特基二极管与整流器 25A 15V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2515LG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 25A 15V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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