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参数资料
| 型号： | MBR2535CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 93K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 35V 30A TO220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220AB, TO-220, TO-220 ISO |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 820mV @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR2535CTGOS |
MBR2535CTG, MBR2545CTG
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
MBR2535CTG
MBR2545CTG
V
V
RRM
RWM
VR
35
45
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 160
°C)
Per Device
Per Diode
IF(AV)
30
15
A
Peak Repetitive Forward Current
per Diode Leg (Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 150
°C)
IFRM
30
A
Non?Repetitive Peak Surge Current per Diode Leg
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
150
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz)
IRRM
1.0
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +175
°C
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?65 to +175
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
ESD Ratings:
Machine Model = C
Human Body Model = 3B
ESD
> 400
> 8000
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance,
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient(Note 2)
RJC
RJA
1.5
50
°C/W
2. When mounted using minimum recommended pad size on FR?4 board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode)
Symbol
Characteristic
Condition
Min
Typ
Max
Unit
VF
Instantaneous Forward Voltage
(Note 3)
IF
= 15 Amp, T
J
= 25
°C
IF
= 15 Amp, T
J
= 125
°C
IF
= 30 Amp, T
J
= 25
°C
IF
= 30 Amp, T
J
= 125
°C
?
?
?
?
?
0.50
?
0.65
0.62
0.57
0.82
0.72
V
IR
Instantaneous Reverse Current
(Note 3)
Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C
Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C
?
?
?
9.0
0.2
25
mA
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z336K016CSSL | CAP TANT 33UF 16V 10% 2910 |
| ABM43DRMH | CONN EDGECARD 86POS .156 WW |
| EEM18DRMT-S288 | CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND |
| MUR1660CTG | DIODE ULT FAST 600V 8A TO220AB |
| VI-J5H-CX-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR2535CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2535CTL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 25 A 35 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2535CTLG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 25 A 35 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR2535CTPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| MBR2540CT | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30A SCHOTTKY RECTIFIER, TO220AB - Tape and Reel |
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