参数资料
型号: MBR3045STG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 100K
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO-220AB
标准包装: 50
系列: SWITCHMODE™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 620mV @ 15A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 45V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 15A
电压 - (Vr)(最大): 45V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
其它名称: MBR3045STG-ND
MBR3045STGOS
MBR3045ST, MBRB3045CT?1
http://onsemi.com
3
Figure 4. Current Derating, Case Figure 5. Current Derating, Ambient
Figure 6. Forward Power Dissipation
0
110
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
20
8.0
4.0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
120 130 140 170 60 80 180150 160
20
100 120 140
160
0
0
24
16
8.0
40
4.0 28 32 368.0 1612
0
IF, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
32
16
12
8.0
4.0
0
I
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
P
20 4024
28
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
20
24
SQUARE WAVE
dc
SQUARE WAVE
dc
16
12
24
20
12
4.0
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
F(AV)
RATED VR
APPLIED
SQUARE WAVE
dc
RATED VOLTAGE APPLIED
RJC
= 1.1
°C/W
RJA
= 16
°C/W
(With TO-220 Heat Sink)
RJA
= 60
°C/W
(No Heat Sink)
SQUARE WAVE
dc
TJ
= 125
°C
(CAPACITATIVELOAD)
PK
I
5.0
AV
I
10
20
(RESISTIVELOAD)
PK
I
AV
I
Figure 7. Capacitance
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1000
10 30 4020
C, CAPACITANCE (pF)
100
TJ
= 25
°C
f = 1 MHz
50
10000
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MBR3045ST
TO?220
50 Units/Rail
MBR3045STG
TO?220
(Pb?Free)
50 Units/Rail
MBRB3045CT?1
TO?262
50 Units/Rail
MBRB3045CT?1G
TO?262
(Pb?Free)
50 Units/Rail
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MBR3045WT 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR3045WTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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