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参数资料
| 型号： | MBR30H150CT-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | MBR30H150CT-E3 |
www.vishay.com
4
Document Number 88865
29-Aug-05
MBR30H150CT, MBRF30H150CT & SB30H150CT-1
Vishay Semiconductors
Package outline dimensions in inches (millimeters)
T O -220AB
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
0.118
(3.00) Typ.
0.067
(1.70) Typ.
0.100
(2.54) Typ.
0.331 (8.40)
Typ.
0.343 (8.70)
Typ.
0.200 (5.08) Typ.
0.056 (1.42)
0.064 (1.62)
0.028 (0.70)
0.035 (0.90)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
Dia.
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
13
PIN
2
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
1.29 (3.28)
1.21 (3.08)
0.100
(2.54) Typ.
0.200 (5.08)Typ.
0.058 (1.47) Max.
0.024 (0.60)
0.039 (1.00)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
Dia.
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
12
3
PIN
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
ITO-220AB
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
12
K
3
PIN
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.100
(2.54) Typ.
0.200 (5.08) Typ.
0.028 (0.70)
0.035 (0.90)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
TO-262AA
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MBR30H150CTG | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MBR30H30CTG | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30A/30V H-SERIES TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MBR30H35CT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers |
| MBR30H35CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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