参数资料
型号: MBR30H30CTG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 139K
描述: DIODE SCHOTTKY 30A 30V TO-220AB
标准包装: 50
系列: SWITCHMODE™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 480mV @ 15A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 800µA @ 30V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 15A
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
MBRB30H30CT?1G, NRVBB30H30CT?1G, MBR30H30CTG
http://onsemi.com
4
C, CAPACITANCE (pF)
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1500
0
25
TJ
= 25
?C
Figure 7. Typical Capacitance
20
10 15
3000
30
2000
2500
1000
500
5
R(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Figure 8. Thermal Response Junction?to?Case
1000
0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.1
0.00001
t1, TIME (sec)
10
0.01
0.000001
0.1
1
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.2
0.1
0.05
0.01
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PDF描述
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参数描述
MBR30H35CT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR30H35CT-E3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR30H35PT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Schottky Rectifier
MBR30H35PT-E3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 35 Volt Dual 200 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR30H45CT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers