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参数资料
| 型号： | MBR340G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 600µA @ 40V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR340GOS |
MBR340
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°C unless otherwise noted) (Note 3)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 4)
(iF
= 1.0 Amp)
(iF
= 3.0 Amp)
(iF
= 9.4 Amp)
vF
0.500
0.600
0.850
V
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 4)
TL
= 25
°C
TL
= 100
°C
iR
0.60
20
mA
3. Lead Temperature reference is cathode lead 1/32in from case.
4. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
TA, AMBIENT TEMPERATURE (C°)
20 10040 8060
4.0
2.0
8.0
6.0
0
10
dc
SQUARE
WAVE
120 140 160 180 200
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F (AV)
VR
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.001
02010 30 40
40
20
10
100
0.002
0.004
0.01
0.04
0.02
0.1
0.4
0.2
4.0
2.0
1.0
25°C
75°C
100°C
10
10
100
1000
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.1 0.3 0.4 0.50.2
5.0
0.01
0.03
0.02
0.07
0.2
0.1
20
10
3.0
2.0
1.0
0.6 0.8 0.90.7
0.3
0.05
0.5
0.7
150°C
I , REVERSE CURRENT (mA)
R
7.0
i , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
25°C
100°C
TJ= 150°C
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selec-
is sufficiently
below rated VR.
tions can be estimated from these same curves if VR
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current*
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method #3 per Note 5)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR120VLSFT3G | DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123FL |
| P51-3000-A-T-I36-4.5V-000-000 | SENSOR 3000PSI 7/16-20-2B 4.5V |
| REC3-2405DRW/H2/A/SMD/CTRL-R | CONV DC/DC 3W 18-36VIN +/-05VOUT |
| EBM06DRTN-S13 | CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND |
| EBM06DRTH-S13 | CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR340G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Axial Lead Rectifier |
| MBR340P | 制造商:Motorola Inc 功能描述:3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBR340PRL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MBR340RL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR340RLG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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