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参数资料
| 型号： | MBR350RLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD |
| 产品目录绘图： | Rectifier DO-201AD Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 740mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 600µA @ 50V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR350RLGOSCT |
MBR350, MBR360
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°C unless otherwise noted) (Note 2)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3)
(iF
= 1.0 Amp)
(iF
= 3.0 Amp)
(iF
= 9.4 Amp)
vF
0.600
0.740
1.080
V
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated DC Voltage (Note 3)
TL
= 25
°C
TL
= 100
°C
iR
0.60
20
mA
2. Lead Temperature reference is cathode lead 1/32 in from case.
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
TA, AMBIENT TEMPERATURE (C°)
20 10040 8060
4.0
2.0
3.0
5.0
0
0
1.0
DC
SQUARE
WAVE
120 140 160
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F (AV)
VR
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
02010 30 40
0.002
0.005
0.01
0.05
0.02
0.10
0.50
0.20
20
10
5.0
2.0
1.0
25°C
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0 0.40.2
5.0
0.03
0.02
0.07
0.2
0.1
20
10
3.0
2.0
1.0
0.6 0.8
0.3
0.05
0.5
0.7
I , REVERSE CURRENT (mA)
R
7.0
i , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
1.0 1.2 1.4
*The curves shown are typical for the highest
voltage device in the voltage grouping. Typical
reverse current for lower voltage selections can
be estimated from these same curves if VRis
sufficiently below rated VR.
50 60 80
75°C
100°C
TJ= 150°C
TJ= 100°C
25°C
75°C
TJ= 150°C
RATED VR
RJA
= 28
°C/W
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current*
Figure 3. Current Derating Ambient
(Mounting Method 3 per Note 4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BT4-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W |
| TAJE337K004H | CAP TANT 330UF 4V 10% 2917 |
| RSM36DTAT | CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD |
| MC79L24ACPRM | IC REG LDO -24V .1A TO-92 |
| TAJE227K010K | CAP TANT 220UF 10V 10% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR350TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 3A C-16 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MBR350TR-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 3 A |
| MBR351 | 制造商:DCCOM 制造商全称:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| MBR3510 | 制造商:HY 制造商全称:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| MBR35100 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V - 35A Schottky Rectifier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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