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参数资料
| 型号： | MBR4015CTLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10mA @ 15V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 15V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR4015CTLGOS |
MBR4015CTL
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
15
V
Average Rectified Forward Current
(TC
= 140
°C per Diode)
(TC
= 140
°C per Device)
IF(AV)
20
40
A
Peak Repetitive Forward Current, per Diode (Square Wave, 20 kHz, TC
= 135
°C)
IFRM
40
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
150
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz)
IRRM
1.0
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +175
°C
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?65 to +150
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
1,000
V/s
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/RJA.
THERMAL CHARACTERISTICS
(Per Diode)
Characteristic
Conditions
Symbol
Max
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
Min. Pad
RJC
1.3
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
Min. Pad
RJA
70
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 20 Amps, T
j
= 125
°C)
(iF
= 40 Amps, Tj = 125
°C)
(iF
= 20 Amps, Tj = 25
°C)
(iF
= 40 Amps, Tj = 25
°C)
vF
?
?
?
?
0.31
0.45
0.41
0.51
0.34
0.50
0.43
0.54
V
Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated dc Voltage, Tj = 125°C)
(Rated dc Voltage, Tj = 25°C)
iR
?
?
300
0.8
600
10
mA
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
10
100
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
0.6
125°C
150°C
25°C
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
100°C
75°C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.6
125°C
150°C
25°C
100°C
75°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN-123.3S/HP | CONV DC/DC 1.25W 12VIN 3.3VOUT |
| ECM08DCTT | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| VI-2NM-CX | CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W |
| GBA06DTAI | CONN EDGECARD 12POS R/A .125 SLD |
| BAV16WS-7 | DIODE SWITCH 75V 200MW SOD-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR4015LWT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 15V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR4015LWTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 15V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR40200CT | 制造商:SIRECT 制造商全称:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Power Schottky Rectifier - 40Amp 200Volt |
| MBR40200PT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A,200V,DUAL SCHOTTKY Rect RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR40200PTE3/TU | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:40A, 200V, VF=0.90V, TJMAX = 175C - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40A 200V TO-247AD |
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