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参数资料
| 型号： | MBR4045PTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 45V 20A SOT-93 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 700mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-218-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-93 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR4045PTG-ND MBR4045PTGOS |
MBR4045PT
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Max
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
45
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 125
°C) Per Diode
Per Device
IF(AV)
20
40
A
Peak Repetitive Forward Current,
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz
@ TC
= 90
°C) Per Diode
IFRM
40
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase,
60 Hz)
IFSM
400
A
Peak Repetitive Reverse Current,
(2.0 s, 1.0 kHz)
IRRM
2.0
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +175
°C
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?65 to +175
°C
Peak Surge Junction Temperature
(Forward Current Applied)
TJ(pk)
175
°C
Voltage Rate of Change
dv/dt
10,000
V/s
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may
affect device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Conditions
Symbol
Max
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
Minimum Pad
RJC
1.4
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
Minimum Pad
RJA
55
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 20 A, T
J
= 25
°C)
(iF
= 20 A, T
J
= 125
°C)
(iF
= 40 A, T
J
= 25
°C)
(iF
= 40 A, T
J
= 125
°C)
VF
?
?
?
?
0.53
0.46
0.64
0.62
0.70
0.60
0.80
0.75
V
Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated DC Voltage, TJ
= 25
°C)
(Rated DC Voltage, TJ
= 125
°C)
iR
?
?
0.09
30
1.0
50
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BNH-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR4045ST | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| MBR4045W | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:40 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts |
| MBR4045WT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR4045WTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR4045WT-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 20 A |
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