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参数资料
| 型号： | MBR735G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC |
| 产品目录绘图： | Rectifier TO-220AC, TO-220B |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 7.5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 15A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 35V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBR735GOS |
    MBR735, MBR745 http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage MBR735 MBR745 V V RRM RWM VR 35 45 V Average Rectified Forward Current (TC = 164 °C) Per Device IF(AV) 7.5 A Peak Repetitive Forward Current, (Square Wave, 20 kHz, TC = 168 °C) IFRM 7.5 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz) IFSM 150 A Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz) IRRM 1.0 A Storage Temperature Range Tstg ?65 to +175 °C Operating Junction Temperature (Note 1) TJ ?65 to +175 °C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ < 1/R JA. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case RJC 3.0 °C/W Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient RJA 60 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2) (iF = 7.5 Amps, T J = 125 °C) (iF = 15 Amps, T J = 125 °C) (iF = 15 Amps, T J = 25 °C) vF ? ? ? 0.48 0.61 0.68 0.57 0.72 0.84 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) (Rated dc Voltage, TJ = 125 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 25 °C) iR ? ? 10 0.03 15 0.1 mA 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBC65DRES | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| EEC10DRYI-S13 | CONN EDGECARD 20POS .100 EXTEND |
| REC3-1212DRW/H/B/M | CONV DC/DC 3W 9-18VIN +/-12VOUT |
| EBC06DRYI-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
| EMC49DRTN | CONN EDGECARD 98POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR735G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER, 7.5A, 35V, TO-220AC |
| MBR735HE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 35 Volt 7.5A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR735-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 7.5 A |
| MBR735PBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MBR735PBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 7.5 A |
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