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参数资料
| 型号： | MBR745 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 7.5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 840mV @ 15A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 45V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MBR745OS |
    MBR735, MBR745 http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage MBR735 MBR745 V V RRM RWM VR 35 45 V Average Rectified Forward Current (TC = 164 °C) Per Device IF(AV) 7.5 A Peak Repetitive Forward Current, (Square Wave, 20 kHz, TC = 168 °C) IFRM 7.5 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz) IFSM 150 A Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz) IRRM 1.0 A Storage Temperature Range Tstg ?65 to +175 °C Operating Junction Temperature (Note 1) TJ ?65 to +175 °C Voltage Rate of Change (Rated VR) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ < 1/R JA. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case RJC 3.0 °C/W Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient RJA 60 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2) (iF = 7.5 Amps, T J = 125 °C) (iF = 15 Amps, T J = 125 °C) (iF = 15 Amps, T J = 25 °C) vF ? ? ? 0.48 0.61 0.68 0.57 0.72 0.84 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) (Rated dc Voltage, TJ = 125 °C) (Rated dc Voltage, TJ = 25 °C) iR ? ? 10 0.03 15 0.1 mA 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MBR760 | DIODE SCHOTTKY 7.5A 60V TO220-2 |
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| MBRA320T3G | DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA |
| MBRB2515L | DIODE SCHOTTKY 25A 15V D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBR745 C0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 45V 7.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220A Tube |
| MBR745 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Schottky Rectifier 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 7.5A 45V |
| MBR745/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.5 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR745_Q | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.5 amp Rectifiers Schottky Barrier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBR745C0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Schottky diode 45V, 7A, TO-220AC |
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