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参数资料
| 型号： | MBRA120TRPBF |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, SIMILAR TO D-64, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | MBRA120TRPBF |
MBRA120TRPbF
Bulletin PD-20776 07/04
4
www.irf.com
Fig. 4 - Maximum Average Forward Current
Vs. Allowable Lead Temperature
Fig. 5 - Maximum Average Forward Dissipation
Vs. Average Forward Current
Fig. 6 - Maximum Peak Surge Forward Current Vs. Pulse Duration
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D)
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Allowable
Lead
Temperature
(°C)
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Allowable
Power
Loss
(Watts)
Square Wave Pulse Duration - t
p (microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
FSM
(A)
130
135
140
145
150
155
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
DC
see note (2)
Square wave
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
DC
RMS Limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
10
100
1000
10
100
1000
10000
Tj = 25C
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB10100CT-TP | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB1060-G | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB1060-T4 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB10H150CT-1 | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| MBRB1535CTTRRP | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRA120TRPBF_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.0 A |
| MBRA130 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRA130LT3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRA130LT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRA130LT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier Breakdown Voltage Max |
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