- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录39588 > MBRA140TR 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBRA140TR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SMA, SMILILAR TO D-64, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MBRA140TR |
MBRA140TR
Bulletin PD-20582 rev. D 07/04
3
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Peak Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
R
e
v
e
rs
e
C
u
rr
e
n
t-
I
(
m
A
)
T = 150°C
J
Reverse Voltage - V (V)
10
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T = 25°C
J
R
T
Ju
n
c
tion
C
a
p
a
c
ita
nc
e
-
C
(
p
F)
Reverse Voltage - V (V)
T
J
Max. Junction Temperature Range (*)
-55 to150
°C
Tstg Max. Storage Temperature Range
-55 to150
°C
R
thJL Max. Thermal Resistance Junction
35
°C/W DC operation (* See Fig. 4)
to Lead
(**)
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
80
°C/W DC operation
to Ambient
wt
Approximate Weight
0.07(0.002) g (oz.)
Case Style
SMA
Similar D-64
Device Marking
IR14
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
Value
Units
Conditions
(**) Mounted 1 inch square PCB, Thermal Probe connected to lead 2mm from Package
Instantaneous
Forward
Current
-I
F
(A)
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Tj = 150C
Tj = 125C
Tj = 100C
Tj = 25C
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB10100-HE3/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB1035-G | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB1035-GT4 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB1045-GT4 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB1035 | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRA140TRPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MBRA140TRPBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBRA140TRPBF_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.0 A |
| MBRA150 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRA150T3 | 制造商:FORMOSA 制造商全称:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。