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参数资料
| 型号： | MBRA210LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 128K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA |
| 产品目录绘图： | Rectifier SMA Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 350mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 700µA @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1567 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBRA210LT3GOSDKR |
      MBRA210LT3G, NRVBA210LT3G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 10 V Average Rectified Forward Current (At Rated VR, TL = 110 ?C) IO 2.0 A Non?Repetitive Peak Surge Current (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz) IFSM 160 A Storage/Operating Case Temperature Operating Junction Temperature Tstg, T T C J ?55 to +125 ?C Voltage Rate of Change (Rated VR, TJ = 25 ?C) dv/dt 10,000 V/s Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Pad 1 Inch Pad Unit Thermal Resistance, Junction?to?Lead Thermal Resistance, Junction?to?Ambient RJL RJA 22 150 15 81 ?C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) VF TJ = 25 ?C TJ = 100 ?C V (IF = 0.1 A) (IF = 1.0 A) (IF = 2.0 A) 0.260 0.325 0.350 0.15 0.23 0.26 Maximum Instantaneous Reverse Current IR TJ = 25 ?C TJ = 100 ?C mA (VR = 5.0 V) (VR = 10 V) 0.25 0.70 40 60 1. Pulse Test: Pulse Width ? 250 s, Duty Cycle ? 2%. Figure 1. Typical Forward Voltage 0.05 0.050.1 0.2 0.40.15 0.450.25 0.350.3 100 0.1 1 I F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS) Figure 2. Maximum Forward Voltage 0.15 0.35 0.450.25 0.55 100 0.1 1 VF, MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS) I F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) VF @ 125 ?C 100?C 75?C VF @ 125 ?C 25?C 10 10 25?C 100?C 75?C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRA320T3G | DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA |
| MBRB2515L | DIODE SCHOTTKY 25A 15V D2PAK |
| MBRB40250TG | DIODE SCHOTTKY 40A 250V D2PAK-3 |
| MBRB8H100T4G | DIODE SCHOTTKY 8A 100V D2PAK |
| MBRD330RLG | DIODE SCHOTTKY 3A 30V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRA210LT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBRA2H100T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRA3045N | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRA3045NTU | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRA320T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 20V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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